制造商产品编号:
IPP08CNE8N G
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IPP08CNE8N G-DG
描述:
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
详细描述:
N-Channel 85 V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
库存:
12800577
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IPP08CNE8N G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
OptiMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
85 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
95A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 95A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 130µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6690 pF @ 40 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
167W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP08C
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
500
其他名称
IPP08CNE8NGXK
IPP08CNE8NG
IPP08CNE8N G-DG
IPP08CNE8NGX
SP000096466
SP000680846
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK34E10N1,S1X
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
5
部件编号
TK34E10N1,S1X-DG
单价
0.53
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PSMN4R6-60PS,127
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
7843
部件编号
PSMN4R6-60PS,127-DG
单价
1.15
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PSMN009-100P,127
制造商
NXP Semiconductors
可用数量
291
部件编号
PSMN009-100P,127-DG
单价
1.44
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PSMN5R0-80PS,127
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
23033
部件编号
PSMN5R0-80PS,127-DG
单价
1.37
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PSMN3R0-60PS,127
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
4251
部件编号
PSMN3R0-60PS,127-DG
单价
1.62
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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